大功率LED照明屬固態(tài)照明，具有壽命長、安全環(huán)保、高效節(jié)能、響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，但尚有一些技術(shù)急需解決，主要為: 光提取效率低、發(fā)熱量大、價(jià)格較高。目前LED的發(fā)光效率僅能達(dá)到10?%?~ 20?%，有80?%?~?90?%的能量轉(zhuǎn)化成了熱量，使得大功率LED的熱流密度超過150?W/cm2，而常規(guī)的銅/?鋁散熱翅片一般僅能滿足50?W/cm2散熱需求。如果熱量不能及時(shí)有效地散發(fā)出去，將會(huì)使LED芯片結(jié)溫升高，從而導(dǎo)致輸出光功率減小、芯片蛻化、波長“紅移”、器件壽命縮短等不良后果。因此，如何解決散熱問題成為LED推廣應(yīng)用的關(guān)鍵，而應(yīng)用何種方式觀測(cè)到熱量的變化則是應(yīng)對(duì)問題的一個(gè)切入口。
考慮到芯片的小尺寸以及電路引線等微小性，格物優(yōu)信采用微距鏡頭對(duì)小尺寸物體進(jìn)行觀測(cè)。一方面，應(yīng)用格物優(yōu)信微距紅外熱像儀以及特殊配件可對(duì)LED芯片內(nèi)部進(jìn)行檢測(cè)，通過對(duì)內(nèi)部的溫度分布分析，改善設(shè)計(jì)，提高LED產(chǎn)品質(zhì)量。金線和正負(fù)電極的溫度分布狀況可以為研發(fā)人員提供布線設(shè)計(jì)依據(jù)，以及為芯片研發(fā)散熱系統(tǒng)也需要確認(rèn)芯片各部位的發(fā)熱情況。
LED芯片紅外熱成像熱分布檢測(cè)內(nèi)容：
1.芯片整體的溫度值，芯片的最高溫度不允許超過120℃。
2.芯片內(nèi)部的金線和正負(fù)電極溫度分布。
說明：因LED芯片尺寸小，熱像儀需要在最近的極限距離處拍攝，以遠(yuǎn)低于可見光最小聚焦距離，故可見光一般無法在熱圖中顯示，或可見光與紅外熱圖位置差異較大。
另一方面，LED器件散熱分為一次封裝散熱和二次熱沉散熱。一次封裝散熱主要是通過改善LED自身封裝材料和結(jié)構(gòu)進(jìn)行散熱，二次熱沉散熱主要是通過設(shè)計(jì)開發(fā)外部的熱沉結(jié)構(gòu)對(duì)LED進(jìn)行熱控制。用紅外熱像儀可以觀測(cè)到熱沉和PCB板之間的溫度差異，以及熱沉散熱效率。
