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  • 紅外熱像儀在半導體晶圓生產(chǎn)中是一項至關重要的測溫技術。它提供了一種非接觸、全場、實時的溫度監(jiān)測方案,對于保證芯片良率、優(yōu)化工藝和確保生產(chǎn)安全具有不可替代的作用。

    紅外熱像儀用于半導體晶圓生產(chǎn)測溫

    X1280 4.8UM鏡頭

    • 晶圓外延生長

    外延是在晶圓襯底上生長特定厚度和摻雜濃度單晶薄膜的過程,溫度均勻性決定薄膜結晶質量和電學性能。紅外熱像儀可實時監(jiān)測反應腔室內(nèi)晶圓表面溫度分布,捕捉局部高低溫區(qū)域,進而幫助操作人員調(diào)整加熱源功率分布,避免因溫度不均導致薄膜缺陷,如晶格失配、應力裂紋等。

    • 離子注入與退火工藝

    離子注入后需退火激活雜質離子、修復晶格損傷,退火溫度達數(shù)百至一千攝氏度以上且精度要求高。紅外熱像儀可全程監(jiān)測晶圓在退火爐的溫度變化,確保其整體達目標值且無明顯溫差,防止退火不充分致器件導電性不足,或局部過熱使晶圓變形、破損。

    • 晶圓切割與劃片

    晶圓切割時,切割刀輪摩擦產(chǎn)生局部熱量,熱量累積可能致晶圓邊緣崩裂、劃片精度下降。紅外熱像儀能快速捕捉切割區(qū)域溫度熱點,及時調(diào)整切割速度、冷卻液流量等參數(shù),減少熱損傷。

    • 封裝前檢測

    晶圓生產(chǎn)后期,需對晶圓進行全面檢測排查缺陷。紅外熱像儀可通過溫度差異識別隱性缺陷,例如晶圓內(nèi)部的微裂紋、金屬布線的虛焊等,這類缺陷會導致局部熱傳導異常,在熱像圖上呈現(xiàn)明顯的溫度異常點,助力實現(xiàn)非破壞性的快速篩查。

    紅外熱像儀用于半導體晶圓生產(chǎn)測溫

    配備專業(yè)分析軟件,可調(diào)節(jié)發(fā)射率

    紅外熱像儀已成為現(xiàn)代半導體晶圓廠不可或缺的“眼睛”,它使工程師能夠“看見”溫度,從而精準控制和優(yōu)化至關重要的熱工藝。盡管面臨發(fā)射率、視窗等挑戰(zhàn),但通過正確的技術選型、系統(tǒng)集成和數(shù)據(jù)處理,紅外熱像儀為實現(xiàn)高良率、高效率的芯片生產(chǎn)提供了關鍵的數(shù)據(jù)支撐。格物優(yōu)信推出的X1280系列與X640系列微距熱成像儀,采用定制化微距鏡頭、高靈敏度紅外探測器及定制化測溫算法,實現(xiàn)了對晶圓特殊材質的高清熱成像測溫,并支持每秒最高125Hz的高速熱成像。這一突破不僅彌補了傳統(tǒng)檢測手段在精度與速度上的不足,更為芯片制造行業(yè)注入了全新動能。

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